特許

J-GLOBAL ID：200903096863172201

窒化ガリウム系化合物パターン形成方法および金属パターン形成方法

発明者： 金子 丈夫 ,  森 克己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-057201
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260740
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム等の金属パターン形成時における材料の利用効率を飛躍的に向上させ、省電力化を図る。【解決手段】 融点以上の温度下で溶解している液体ガリウムを含む流動体(50)を基板(100)にインクジェット式記録ヘッド(1)方式により吐出させる工程(c)、基板(100)上に吐出された液体ガリウム(51)を、アンモニアを含むガス雰囲気下で窒化させる工程(d)と、を備える。インクジェット方式により任意のパターンの窒化ガリウム等の金属パターンを形成できる。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物のパターンを形成する窒化ガリウム系化合物パターン形成方法であって、融点以上の温度で溶解している液体ガリウムを含む流動体をインクジェット方式により基板に吐出させる工程と、前記基板上に吐出された液体ガリウムを、活性窒素化合物を含むガス雰囲気下で窒化させる工程と、を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物パターン形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/208 ,  B41M 5/00 ,  C23C 26/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/027 ,  H01L 33/00

FI (7件)：

H01L 21/208 Z ,  B41M 5/00 A ,  C23C 26/00 C ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/30 502 H ,  H01L 21/30 502 Z