特許

J-GLOBAL ID：200903096864437969

半導体装置の製造方法

発明者： 河合 薫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068364
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283293
出願日： 1994年04月06日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】この発明は、製造工程の合理化及び半導体基板の大幅な薄型化を図る。【構成】半導体ウエハ22の表面上に第1の液体を塗布し、この第1の液体を凝固させることにより、半導体ウエハ22の表面上に保護膜26を形成する。次に、ワ-クプレ-ト27上に前記第1の液体より低い凝固点を有する第2の液体28a を塗布し、前記第2の液体28a と前記保護膜26とが接触するように半導体ウエハ22をワ-クプレ-ト27上に載置する。次に、第2の液体28a を凝固させることにより、ワ-クプレ-ト27上に半導体ウエハ22を固定膜28により固定する。次に、半導体ウエハ22の裏面を砥石29により研削した後、前記固定膜28を解凍することによりワ-クプレ-ト27から半導体ウエハ22を取り外す。従って、製造工程の合理化及び半導体基板の大幅な薄型化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に液体を塗布する工程と、前記液体を凝固させることにより、前記半導体基板の表面上に保護膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/08 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/301

FI (2件)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-034946
  
• 特開昭62-219526
  
• 特開昭63-256327
  
• 特開昭59-037044