特許
J-GLOBAL ID:200903096867533446

磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-255231
公開番号(公開出願番号):特開2001-077441
出願日: 1999年09月09日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】 耐湿性の良い磁気抵抗素子及びそれを用いた低コストの磁気センサを提供することを目的とするものである。【解決手段】 基板1の表面に形成した半導体磁気抵抗膜2と、この半導体磁気抵抗膜2上に形成した短絡電極3及び電気信号取り出し用の電極部4と、この前記電極部4を残して前記半導体磁気抵抗膜2及び短絡電極3を覆うように形成した耐湿膜6を備えたことを特徴とする磁気センサ素子である。これにより、耐湿性の良い磁気抵抗素子及びそれを用いた低コストの磁気センサを形成できるものである。
請求項(抜粋):
基板の表面に形成した半導体磁気抵抗膜と、この半導体磁気抵抗膜上に形成した短絡電極及び電気信号取り出し用の電極部と、この前記電極部を残して前記半導体磁気抵抗膜及び短絡電極を覆うように形成した耐湿膜からなる磁気抵抗素子。
IPC (2件):
H01L 43/08 ,  G01R 33/09
FI (2件):
H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R
Fターム (4件):
2G017AC00 ,  2G017AD55 ,  2G017AD61 ,  2G017AD65

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