特許
J-GLOBAL ID：200903096871037968
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-206443
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078533
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】この発明は2種類の膜厚のゲート絶縁膜を有する微細MOSトランジスタの構造とその簡便な形成方法とを提供する。【構成】半導体基板の主表面の一部に凹部が形成され、この凹部の内壁に、半導体基板の主表面より熱酸化の速い半導体結晶面が形成され、この凹部の内壁をチャネル領域とし凹部の内壁に形成された絶縁膜をゲート絶縁膜とする第1MOSトランジスタと、半導体基板の主表面をチャネル領域とし主表面に形成された絶縁膜をゲート絶縁膜とする第2MOSトランジスタとが形成されて、前記第1のMOSトランジスタのゲート絶縁膜の厚みが、第2のMOSトランジスタのゲート絶縁膜の厚みより大きくなるようにする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面の一部領域に形成された凹部と、前記凹部の内壁に形成された前記半導体基板の主表面よりも熱酸化の速い半導体結晶面とを有し、前記凹部の内壁をチャネル領域とし前記凹部の内壁に形成された絶縁膜をゲート絶縁膜とする第1のMOSトランジスタと、前記半導体基板の主表面をチャネル領域とし前記主表面に形成された絶縁膜をゲート絶縁膜とする第2のMOSトランジスタとを備え、前記第1のMOSトランジスタのゲート絶縁膜の厚みは、前記第2のMOSトランジスタのゲート絶縁膜の厚みより大きいことを特徴とした半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 27/06
, H01L 29/78
H01L 27/08 102 C
, H01L 27/06 102 C
, H01L 29/78 301 V
, H01L 29/78 301 Q
