特許

J-GLOBAL ID：200903096872263821

一括消去型不揮発性半導体記憶装置

発明者： 新島 秀人 ,  豊岡 孝資 ,  佐藤 証 ,  坂上 好功
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243118
公開番号（公開出願番号）：特開平6-111589
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】一括消去型不揮発性半導体記憶装置の、効率の良い冗長構成を提案する。【構成】メモリ・セル31のアレイをデータ・エリア36とタグ・エリア37とに物理的に分割し、ワード線32は共有しつつそれぞれのエリアを別々に一括消去できるように構成する。一つのワード線を共有するデータ・エリアとタグ・エリアとは一つの論理単位を構成し、この単位内に於いて、タグ・エリアはデータ・エリアにある不良メモリ・セルの位置情報を保持する。この情報を基にシステムは不良メモリ・セルの使用回避処理を行う。不良メモリ・セル情報はチップ製作後の検査行程に於いてプログラムし、同時に、この不良メモリ・セル情報に対してECCを生成しタグ・エリアに書き込む。さらに、タグ・エリアに一定のデータを書き込むことにより、そのタグ・エリアとワード線を共有しているデータ・エリアの使用不許可をシステムに知らせる。データ・エリアが一括消去される時でも、タグ・エリアは消去されることはなく、不良メモリ・セル位置情報が保持される。

請求項（抜粋）：

ワード線とビット線とによって動作電圧が設定されるメモリ・セルのアレイからなる一括消去可能な不揮発性半導体記憶装置であって、ワード線を共有するメモリ・セルを第1の群と第2の群に分け、第2の群に属するメモリ・セルの記憶データを保持しつつ、第1の群に属するメモリ・セルの記憶データを一括消去できるようにした半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 16/06 ,  G11C 29/00 301 ,  G11C 29/00 302 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-268194
  
• 特開平2-003182
  
• 不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-354695   出願人：日本電気株式会社