特許
J-GLOBAL ID：200903096882455842
単結晶SiC及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-315126
公開番号（公開出願番号）：特開平11-147794
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 大型で、しかも結晶核の発生などがない高品質の単結晶SiCを安定に、かつ、効率よく製造することができるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基板1の表面1aをRMS2000オングストローム以下、好ましくはRMS1000オングストローム以下の表面粗さに調整し、このα-SiC単結晶基板1の表面1aに熱CVD法によりα-SiC多結晶膜2を成膜した後、その複合体Mを多孔質カーボン製容器3に入れ、かつ、そのカーボン製容器3の外側をα-SiC粉体4により覆ってアルゴン気流中で成膜温度以上の高温下で熱処理することにより、結晶の成長とα-SiC多結晶膜2の再結晶化によってα-SiC単結晶基板1の結晶軸と同方位に配向されたα-SiC単結晶を一体に成長させる。
請求項（抜粋）：
表面粗さがRMS2000オングストローム以下に調整されたα-SiC単結晶基板の表面にα-SiC多結晶膜が成膜されてなる複合体を成膜温度以上の高温下で熱処理することにより、結晶の成長と上記α-SiC多結晶膜の再結晶化とによって上記α-SiC単結晶基板の結晶軸と同方位に配向されたα-SiC単結晶が形成されていることを特徴とする単結晶SiC。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 1/02
, H01L 33/00
C30B 29/36 A
, C30B 1/02
, H01L 33/00 A
