半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076819
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267322
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】ダミー配線層が所定のパターンで形成された半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1の配線層30と、第1の配線層30と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層32とを有する。行方向と交差する方向に沿って伸びる、第1の仮想直線L1を想定すると、第1の仮想直線L1と行方向とのなす角は、2〜40度であり、ダミー配線層32は、第1の仮想直線L1上に位置するように、配置されている。また、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第2の仮想直線L2を想定すると、第2の仮想直線L2と列方向とのなす角は、2〜40度であり、ダミー配線層32は、第2の仮想直線L2上に位置するように、配置されている。

請求項（抜粋）：

第1の配線層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、行方向と交差する方向に沿って伸びる、第1の仮想直線を想定すると、前記第1の仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜40度であり、前記ダミー配線層は、前記第1の仮想直線上に位置するように、配置された、半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 , G03F 1/08 , H01L 21/027 , H01L 21/82 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (6件)：

G03F 1/08 A , H01L 21/88 S , H01L 21/30 502 P , H01L 21/82 W , H01L 21/88 Z , H01L 27/04 D

Fターム (28件)：

2H095BB01 , 2H095BB02 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033PP15 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033UU04 , 5F033VV01 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033XX01 , 5F038CA18 , 5F038CD10 , 5F064EE15 , 5F064EE60

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