特許

J-GLOBAL ID：200903096891198810

半導体受光素子

発明者： 日下部 敦彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163336
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008456
出願日： 1994年06月23日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 APDのパルス光入射時の立ち下がり応答特性を改善する。【構成】 n+ -InP基板101の第1主面上に、メサ状にn- -InGaAs光吸収層103、n+ -InP増倍層105、p+ 型受光領域111を設け、基板101の第2主面上に、n- InGaAs透過光吸収層108、p+ -InP裏面窓層109を設ける。受光領域111、基板101、裏面窓層109のそれぞれに、コンタクト電極を介してp側電極116、n側電極117、透過キャリア吸収電極118を設ける。【効果】 光吸収層103を透過した光は透過光吸収層108において吸収されるので、裏面で反射された光によって空乏層外でキャリアが生成されることがなくなり、立ち下がり特性が改善される。

請求項（抜粋）：

入射光に対し透明な第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の第1主面上に形成された第1導電型の第1光吸収層と、前記第1光吸収層上に形成された、入射光に対し透明な第1導電型の増倍層と、前記増倍層上に形成された、入射光に対し透明な第2導電型の窓層と、前記半導体基板の第2主面上に形成された、少なくとも一つの第2光吸収層を含むフォトダイオードと、前記半導体基板、前記窓層および前記フォトダイオードの前記半導体基板と反対側の面に形成された半導体層のそれぞれに電気的に接続された電極と、を備えたことを特徴とする半導体受光素子。