特許
J-GLOBAL ID：200903096891403944
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-221570
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078818
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】熱応力による絶縁膜のクラックによる半導体装置の故障を防止する。【構成】信号配線3の配線間隔が広くあいた部分に信号配線3の最外列に隣接して電気的にフローティングなダミー配線4を少くとも2本配置する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に規則的に配列された信号配線と、前記信号配線の最外列に隣接して形成した前記信号配線の配列間隔と同じ間隔で且つ同じ配線幅を有する少くとも2本のダミー配線と、前記信号配線およびダミー配線を被覆する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成して表面を平坦化したスピンコート絶縁膜と、前記スピンコート絶縁膜上に形成した第2の絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/88 S
, H01L 21/88 K
