特許

J-GLOBAL ID：200903096892409539

半導体レーザ

発明者： 渡辺 孝幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-267684
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122812
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 多重量子井戸レーザの変調ドープ構造に関し, バリア層の不純物ドープ領域から井戸層へのキャリア注入効率を高め, しきい値電流の低減を図る。【構成】 多重量子井戸(MQW) レーザの変調ドープ構造において,バリア層の不純物ドープ領域と井戸層との間にノンドープのスペーサ層を有し,該バリア層のn型(p型)不純物ドープ領域と該スペーサ層との界面における伝導帯端(価電子帯端)のポテンシャルが, 該スペーサ層と該井戸層の界面における伝導帯端のポテンシャルに等しいか,もしくは大きく(小さく)なるように該スペーサ層の組成,厚さ及び該バリア層の不純物ドープ領域のドーピング濃度,厚さが決められている。

請求項（抜粋）：

多重量子井戸(MQW) レーザの変調ドープ構造において,バリア層の不純物ドープ領域と井戸層との間にノンドープのスペーサ層を有し,熱平衡状態でn型不純物をドーピングした場合の該バリア層の不純物ドープ領域の該スペーサ層との界面における伝導帯端のポテンシャルが, 該スペーサ層の該井戸層との界面における伝導帯端のポテンシャルに等しいか,もしくは大きくなるように,あるいは,p型不純物をドーピングした場合の該バリア層の不純物ドープ領域の該スペーサ層との界面における価電子帯端のポテンシャルが, スペーサ層の井戸層との界面における価電子帯帯端のポテンシャルに等しいか,もしくは小さくなるように,該スペーサ層の組成,厚さ及び該バリア層の不純物ドープ領域のドーピング濃度,厚さが決められていることを特徴とする半導体レーザ。