特許

J-GLOBAL ID：200903096892807267

半導体装置の配線構造の形成方法

発明者： 菅野 幸保 ,  監物 秀憲 ,  星野 和弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-097783
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274101
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】高い信頼性を有するスタックトコンタクトプラグ構造を高い歩留まりで形成し得る半導体装置の配線構造の形成方法を提供する。【構成】半導体装置の配線構造の形成方法は、(イ)基体10上に第1の層間絶縁層20を形成した後、高融点金属材料から第1の接続孔23を形成し、(ロ)第1の層間絶縁層20上に、アルミニウム系合金から成る平坦化された第1の配線31を形成し、(ハ)第1の配線31上を含む第1の層間絶縁層20上に、第2の層間絶縁層40を形成した後、第1の接続孔23の上方の第2の層間絶縁層40に第2の開口部41を形成し、(ニ)第2の開口部41を高融点金属材料で埋め込んで第2の接続孔43を形成し、次いで、第2の層間絶縁層40上に第2の配線51を形成する各工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)導体領域が形成された基体上に第1の層間絶縁層を形成した後、導体領域上の第1の層間絶縁層に第1の開口部を設け、次いで、該第1の開口部を高融点金属材料で埋め込んで第1の接続孔を形成する工程と、(ロ)該第1の層間絶縁層上に、該第1の接続孔と電気的に接続されそしてアルミニウム系合金から成る平坦化された第1の配線層を形成し、次いで、該第1の配線層をパターニングして第1の配線を形成する工程と、(ハ)第1の配線上を含む第1の層間絶縁層上に、第2の層間絶縁層を形成した後、第1の接続孔の上方の第2の層間絶縁層に第2の開口部を形成する工程と、(ニ)該第2の開口部を高融点金属材料で埋め込んで第2の接続孔を形成し、次いで、該第2の層間絶縁層上に、該第2の接続孔と電気的に接続された第2の配線を形成する工程、から成ることを特徴とする半導体装置の配線構造の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/88 Q ,  C23C 14/34 K ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 D