特許

J-GLOBAL ID：200903096894468834

磁気記録媒体及びその製造方法

発明者： 岡 正裕 ,  横山 文明
出願人/特許権者： 三菱化成株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-007830
公開番号（公開出願番号）：特開平5-274644
出願日： 1993年01月20日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 高保磁力を有し、しかも同じ大きさの保磁力を有する従来の磁気記録媒体に比べ、電磁変換特性が著しく改善され、高保磁力の効果が十分得られる磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。【構成】 非磁性基板上に、Cr系非磁性下地層を介して、Coを主成分とし、Ni40原子%以下、B8原子%以下、Cr26原子%以下及びTa10原子%以下を含有するCo-Cr-Ni-B-Ta系合金磁性層を形成した磁気記録媒体。非磁性基板に負のバイアス電圧を印加した状態でCo-Cr-Ni-B-Ta系合金磁性層をスパッタ成膜する。【効果】 特定の元素組成のCo-Cr-Ni-B-Ta系磁性層によれば、高保磁力でしかも電磁変換特性に優れた磁気記録媒体が得られる。Co-Cr-Ni-B-Ta系磁性層を、基板に負のバイアス電圧を印加した状態でスパッタ成膜により形成することにより、得られる磁気記録媒体の保磁力は著しく高められる。

請求項（抜粋）：

非磁性基板上に、クロムを主成分とする非磁性下地層を介してコバルト-クロム系合金磁性層を形成してなる磁気記録媒体において、該コバルト-クロム系合金磁性層がコバルトを主成分とし、ニッケルを40原子%以下、ホウ素を8原子%以下、クロムを26原子%以下及びタンタルを10原子%以下含有することを特徴とする磁気記録媒体。

IPC (4件)：

G11B 5/66 ,  G11B 5/85 ,  H01F 10/16 ,  H01F 41/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-224120
  
• 特開平1-237925
  
• 特開平3-054723