半導体集積回路装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-133675
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323680
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 MISFETとこれに接続される配線との合わせ余裕を少なくすることによって、チップサイズを縮小する。【解決手段】 MISFET(Qs、Qn、Qp)の上部に形成するコンタクトホール22、23、25およびスルーホール24と、第1層目の配線30〜33およびビット線BLとの合わせずれが生じても、コンタクトホール22、23、25の内部およびスルーホール24の内部のプラグ27が深く削れないようにすることにより、コンタクトホール22、23、25およびスルーホール24と、配線30〜33およびビット線BLとの合わせ余裕を不要とする。

請求項（抜粋）：

以下の工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;(a)半導体基板の主面上に第1導体膜を形成し、次いで前記第1導体膜の上部に第1窒化シリコン膜を形成した後、前記第1窒化シリコン膜と前記第1導体膜とをエッチングすることによって、上面が前記第1窒化シリコン膜で覆われたゲート電極を形成する工程、(b)前記ゲート電極の両側の前記半導体基板にソース、ドレインを形成することによって、上面が前記第1窒化シリコン膜で覆われた前記ゲート電極と、前記ソース、ドレインとを備えたMISFETを形成する工程、(c)前記MISFETの上部に形成した第2窒化シリコン膜をエッチングすることによって、前記ゲート電極の側壁に前記第2窒化シリコン膜からなるサイドウォールスペーサを形成する工程、(d)前記MISFETの上部に酸化シリコン系の絶縁膜を形成し、次いで前記酸化シリコン系の絶縁膜の上部に第1のマスクを形成した後、前記第1のマスクをエッチングのマスクに用い、窒化シリコンに対する酸化シリコンのエッチング速度比が大きい条件で前記酸化シリコン系の絶縁膜をエッチングすることによって、前記MISFETの前記ソース、ドレインの上部に第1コンタクトホールを形成する工程、(e)前記第1のマスクを除去し、次いで前記酸化シリコン系の絶縁膜の上部に第2のマスクパターンを形成した後、前記第2のマスクをエッチングのマスクに用い、前記酸化シリコン系の絶縁膜および前記第1窒化シリコン膜を順次エッチングすることによって、前記MISFETの前記ゲート電極の上部に第2コンタクトホールを形成する工程、(f)前記第2のマスクを除去した後、前記第1コンタクトホールの内部および前記第2コンタクトホールの内部に第2導体膜を形成する工程、(g)前記酸化シリコン系の絶縁膜の上部に第3導体膜を形成し、次いで前記第3導体膜の上部に第3のマスクパターンを形成した後、前記第3のマスクをエッチングのマスクに用い、前記第3導体膜をエッチングすることによって、前記第1コンタクトホールを通じて前記MISFETの前記ソース、ドレインに電気的に接続される第1配線と、前記第2コンタクトホールを通じて前記MISFETの前記ゲート電極に電気的に接続される第2配線とを形成する工程。

IPC (6件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/10 681 F , H01L 27/08 102 D , H01L 27/10 671 Z , H01L 29/78 301 Y

Fターム (46件)：

5F040DA00 , 5F040DC01 , 5F040EA08 , 5F040EC02 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EK05 , 5F040EL03 , 5F040EL04 , 5F048AA01 , 5F048AB01 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BC06 , 5F048BF02 , 5F048BF03 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F048DA27 , 5F083AD00 , 5F083AD48 , 5F083GA09 , 5F083GA30 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083KA05 , 5F083MA03 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR46 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR56 , 5F083ZA06

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