特許

J-GLOBAL ID：200903096897176656

半導体デバイス製造装置及び半導体デバイス製造方法

発明者： 浅野 伸 ,  茂中 俊明 ,  田原 諭 ,  舩山 正宏 ,  後藤 崇之
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325630
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133288
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 熱的なダメージを抑えながら、加工速度が大きい半導体デバイス製造装置を提供する。【解決手段】 本発明による半導体デバイス製造装置は、半導体デバイスが形成されるワーク(3)を保持するワーク保持機構(2)と、ワーク(3)に中性ラジカルビーム(4)を射出する、複数のラジカルガン(1)とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスが形成されるワークを保持するワーク保持機構と、前記ワークに中性ラジカルビームを射出する複数のラジカルガンとを備えた半導体デバイス製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/302 D ,  H01L 31/04 V

Fターム (21件)：

5F004AA06 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB03 ,  5F004BB11 ,  5F004CA05 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA25 ,  5F004DB01 ,  5F004DB09 ,  5F004DB30 ,  5F004EA03 ,  5F004EA08 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CA20 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03