特許
J-GLOBAL ID：200903096900456673
磁歪式トルクセンサにおける磁歪膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-210522
公開番号（公開出願番号）：特開平6-058827
出願日： 1992年08月06日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】磁歪式トルクセンサに好適なアモルファス磁歪膜を提供する。【構成】複数種類の金属のイオン、還元剤及びメタロイド元素を含む無電解めっき浴中にシャフトを浸漬して無電解めっきを行い、アモルファス磁歪膜を形成する際、メタロイド元素の添加量を増大していくと、形成される膜中のメタロイド元素の組成比率が増加してアモルファス化が進むとともに、アモルファス合金膜中の上記複数種類の金属の組成比率が適性組成から顕著にはずれる。そこで、上記無電解めっき時に、基材を陰極として通電を行うと、アモルファス磁歪膜中の上記複数種類の金属の組成比率を変化させることができ、この通電による金属組成制御により、上記メタロイド元素の増加による金属の組成比率の変動を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
シャフト表面に被着され磁気異方性をもつ一対の磁歪膜と、応力による上記磁歪膜対の磁気特性の変化を検出する検出手段とを有する磁歪式トルクセンサの製造方法において、上記磁歪膜は、複数種類の金属イオン、還元剤及びメタロイド元素を含む無電解めっき浴中に上記シャフトを浸漬し、上記シャフトを陰極として通電することにより形成されることを特徴とする磁歪式トルクセンサにおける磁歪膜の製造方法。
IPC (4件)：
G01L 3/10
, C25D 3/56
, C25D 7/00
, C23C 18/50
