特許

J-GLOBAL ID：200903096904685588

荷電粒子ビーム露光方法、荷電粒子ビーム露光装置及びデバイス製造方法

発明者： 沖野 輝昭 ,  小島 真一
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228557
公開番号（公開出願番号）：特開2001-052989
出願日： 1999年08月12日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 より高精度のパターン形成が可能な荷電粒子ビーム露光方法等を提供する。【解決手段】 ウエハ5をステージ21上に載置して移動させながら、電子ビームに偏向を加えつつウエハ5上の特定部にショット露光を繰り返してパターン形成する。ステージ21の移動に応じて上記ビームの偏向量をショット中に変える際に、該偏向量の変化に応じて偏向収差の補正値を適切に更新しつつ該収差を補正する。

請求項（抜粋）：

被露光面を有する感応基板をステージ上に載置して移動させながら、荷電粒子ビームに偏向を加えつつ上記被露光面上の特定部にショット露光を繰り返してパターン形成する荷電粒子ビーム露光方法であって;上記ステージの移動に応じて上記ビームの偏向量をショット中に変える際に、該偏向量の変化に応じて生じる収差を補正すべくこれら収差を補正をする手段の補正量を適切に更新しつつ該収差を補正することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (2件)：

H01L 21/30 541 V ,  G03F 7/20 504

Fターム (9件)：

2H097AA03 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F056CB16 ,  5F056CB22 ,  5F056CB29 ,  5F056CB30 ,  5F056CC02 ,  5F056EA06