特許
J-GLOBAL ID：200903096905166606
窒化物系半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190483
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008059
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 成長温度を下げてp型半導体膜を活性層の上に成長させても、p型半導体膜に十分なキャリア濃度が得られ、高輝度の発光特性を有する。【解決手段】 Mgをドーピングすることによりp型の導電型とされたAlxGayInzN(x+y+z=1)からなるキャリアブロック層5におけるInの比率zを、0.015以上、Gaの比率yを、0.50以上、Alの比率xとInの比率zとの関係x/zを、0.84/0.16以上にしたため、低温条件にて、キャリアブロック層を成長しても、高いホール濃度を得ることができ、また、高温条件による活性層4への熱的な損傷を防止することができるため、発光効率の高い半導体発光素子を得ることができる。
請求項（抜粋）：
活性層の上に、Mgをドーピングすることによりp型の導電性とされたAlxGayInzN(x+y+z=1)からなるキャリアブロック層が積層された窒化物系半導体発光素子であって、前記キャリアブロック層におけるInの比率zが、0.015以上、Gaの比率yが、0.50以上、Alの比率xとInの比率zとの関係x/zが、0.84/0.16以上になっていることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA83
, 5F041CA88
