特許

J-GLOBAL ID：200903096906070270

多層レジストのエッチング方法と薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者： 小野 勝之 ,  駒井 正嗣 ,  片山 克生
出願人/特許権者： リード-ライト コーポレーション
代理人 (1件)： 梅田 明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-355456
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185531
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【解決手段】 基板1の上に下層レジスト2を形成し、その上にフッ素系及び塩素系プラズマに対して高耐性で酸素プラズマにより除去可能な材料の第1中間層6を形成し、その上に酸素プラズマに対して高耐性材料の第2中間層7を形成し、かつその上に上層レジスト4を形成して、フォトリソグラフィ技術により所定の形状にパターニングする。これをマスクとしてフッ素系又は塩素系ガスを用いたドライエッチングにより第2中間層のパターンを形成し、更にこれをマスクとして、酸素ガスを用いて第1中間層及び下層レジストを同時にドライエッチングする。薄膜磁気ヘッドの製造において、この多層レジストを利用してレジストフレーム又はレジストパターンを形成し、インダクティブヘッドの上部磁性膜を形成する。【効果】 第2中間層のオーバエッチング時に第1中間層及び下層レジストのサイドエッチングが起こらず、高い形状・寸法精度の微細加工が可能になる。

請求項（抜粋）：

基板の上に下層レジストを形成する過程と、前記下層レジストの上に、フッ素系及び塩素系プラズマに対して高耐性で酸素プラズマにより除去可能な材料の第1中間層を形成する過程と、前記第1中間層の上に、酸素プラズマに対して高耐性材料の第2中間層を形成する過程と、前記第2中間層の上に上層レジストを形成しかつ所定の形状にパターニングする過程と、パターニングされた前記上層レジストをマスクとして、フッ素系又は塩素系ガスを用いたドライエッチングにより前記第2中間層のパターンを形成する過程と、前記第2中間層のパターンをマスクとして、酸素ガスを用いて前記第1中間層及び下層レジストを同時にドライエッチングする過程とを含むことを特徴とする多層レジストのエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/26 511 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 573

Fターム (20件)：

2H096AA27 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  2H096KA08 ,  2H096KA17 ,  2H096KA18 ,  5F004AA04 ,  5F004BA14 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB25 ,  5F004DB26 ,  5F004EA02 ,  5F004EA22 ,  5F046NA05 ,  5F046NA07