特許
J-GLOBAL ID：200903096908940230
レベルシフト回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260109
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112778
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 レベルシフト制御バイアスの絶対電圧範囲が変化しても、必要とするレベルシフト可変幅を得ることができるレベルシフト回路を提供する。【構成】 厚膜混成基板1内部にレベルシフト制御用トランジスタ3を設け、そのコレクタをレベルシフト主要回路2に接続する。また、基板1に、トランジスタ3のエミッタに接続する電流制御端子10と、そのベースに接続するレベルシフト制御端子6を設ける。端子6にレベルシフト制御用バイアス電圧を印加する。制御端子10を利用して電流制御用抵抗器7を外付けする。バイアス電圧Vを変化させてトランジスタ3を流れる電流Iを変化させ、レベルシフト主要回路2におけるレベルシフト量を調整する。バイアス電圧の絶対電圧範囲に対応して抵抗器7の抵抗値を変更して電流Iの量を調整し、レベルシフト主要回路2で充分なレベルシフトの可変幅を得ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
厚膜混成基板内に、入力信号のDCレベルを可変して出力するレベルシフト主要回路と、このレベルシフト主要回路にコレクタが接続されたレベルシフト制御用トランジスタとを備え、上記厚膜混成基板に、上記トランジスタのベースに外部よりレベルシフト制御バイアス電圧を印加するための第1の端子と、上記トランジスタのエミッタを電流制御用抵抗器を介して外部で接地するための第2の端子とを有することを特徴とするレベルシフト回路。
IPC (2件)：
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