特許
J-GLOBAL ID：200903096909243842
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079320
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291239
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し,パッケージ工程と組立工程を通じて同一ろう材の使用を可能にして, 工程の簡易化を図ることを目的とする。【構成】 1)パッケージ基板 1に設けられたピン受けパッド 3の表面に金属膜7を被着し,リードピン 2を該ピン受けパッド 3に該金属膜を一成分とするろう材 8を用いて該金属膜と該ろう材とを合金化し且つ高融点化して接合する工程と,次いで,該パッケージ基板を用いて半導体装置の組立工程におけるろう付けを行う際に該ろう材を用いる,2)前記金属膜 7が金(Au)膜であり,前記ろう材 8が金(Au)-錫(Sn)共晶合金であるように構成する。
請求項（抜粋）：
パッケージ基板(1) に設けられたピン受けパッド(3)の表面に金属膜(7) を被着し,リードピン(2) を該ピン受けパッド(3)に該金属膜を一成分とするろう材(8) を用いて該金属膜と該ろう材とを合金化し且つ高融点化して接合する工程と,次いで,該パッケージ基板を用いて半導体装置の組立工程におけるろう付けを行う際に該ろう材を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, H01L 21/52
, H01L 23/02
