特許

J-GLOBAL ID：200903096913502135

レジストパターンの形成方法

発明者： 重見 由里江 ,  羽入 勇
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054282
公開番号（公開出願番号）：特開平7-261406
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 光の位相のずれ、逆転を利用して微細パターンを露光する際、位相シフトを用いた開口部の光強度を減少させることなく、しかも、パターン毎に条件出しを行うことなくサブピークを低減することができ、解像度の向上、処理時間の短縮化及びコストの低減化を実現することができる。【構成】 被処理基板11上にレジスト12を塗布する工程と、次いで、該レジスト12表面部分12aを難溶化処理する工程と、次いで、表面部分12aを難溶化処理した該レジスト12を、光の位相の逆転又はずれを利用したマスク1を用いて露光処理する工程と、次いで、露光処理した該レジスト12を現像処理してレジストパターン12bを形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

被処理基板(11)上にレジスト(12)を塗布する工程と、次いで、該レジスト(12)表面部分(12a)を難溶化処理する工程と、次いで、表面部分(12a)を難溶化処理した該レジスト(12)を、光の位相の逆転又はずれを利用したマスク(1)を用いて露光処理する工程と、次いで、露光処理した該レジスト(12)を現像処理してレジストパターン(12b)を形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/26 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/30 565