内部共振型面発光SHGレーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187014
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051248
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【構成】GaAs基板1上に、誘電体の多層膜反射ミラー2,n型のZnSe/ZnSSeの多層膜からなる擬似位相整合SHG部3,ZnSSe/ZnCdSeのMQW層から成るレーザ発振部4,p型のZnSe/ZnSSeの多層膜ミラー5、およびオーミック電極7を形成する。レーザ発振部4で発振した基本波8は共振器内に閉じ込められ、高効率でSH光9に変換される。【効果】小型でかつ波長250nm帯の紫外光から波長400nmの可視紫光の発生可能な、短波長コヒーレント光源が実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された面発光型の半導体レーザと、前記半導体レーザヘ反射光を照射し、前記半導体レーザをはさむように配置されたミラーとからなるレーザ装置において、前記ミラーの間に第2高調波光を発生させる多層膜が形成されていることを特徴とする内部共振型面発光SHGレーザ。

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