半導体レーザアレイの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-292860
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153928
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【構成】n-InP基板1上に隣合う素子同士で回折格子のピッチが少しずつ異なる様に回折格子2を形成する工程と、その上に回折格子を埋め込むように(InGaAsPからなる光ガイド層を成長する工程と、その上にさらに隣合う素子同士でマスク幅の異なる選択成長用マスク4を用いて選択成長を行うことにより、レーザの活性層ストライプ5を形成する工程とを合わせ持つ半導体レーザアレイの製造方法である。【効果】本発明の方法では、電子ビーム露光等による回折格子のピッチ変調と選択成長による利得ピーク波長制御の方法を組み合わせることにより、各々の素子でディチューニング量が等しくかつ発振波長を大きく振ることが可能な半導体レーザアレイが実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にアレイ状に形成する分布帰還型または分布反射型半導体レーザにおいて、少なくとも隣合う素子同士で回折格子のピッチが少しずつ異なる様に回折格子を形成する工程と、その上に回折格子を埋め込むように前記基板とは異なる第2の半導体からなる光ガイド層を成長する工程と、その上にさらに隣合う素子同士でマスク幅の異なる選択成長用マスクを用いて選択成長を行うことにより、レーザの活性層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体レーザアレイの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭64-024488
特開昭63-102387
特開平4-255921

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