特許

J-GLOBAL ID：200903096924759820

レチクル及び位置合わせ用バーニアの形成方法

発明者： 高尾 幸弘
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216440
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066113
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造における露光工程に用いるレチクルと、レチクルの位置合わせ用に用いるバーニアの形成方法の改善に関する。【構成】遮光領域(11)と、LSIの形成に係る所定のパターンが形成されたLSI対応領域(12)と、スクライブラインに対応するスクライブライン対応領域(13)とが形成されてなり、複数のチップ形成領域を有するウエハを露光するレチクルであって、前記スクライブライン対応領域(13)上の所定の位置に第1のバーニアパターン(14)が形成され、かつステップ露光する際に重なる位置に、第2のバーニアパターン(15)が形成されてなること。

請求項（抜粋）：

遮光領域(11)と、LSIの形成に係る所定のパターンが形成されたLSI対応領域(12)と、スクライブラインに対応するスクライブライン対応領域(13)とが形成されてなり、複数のチップ形成領域を有するウエハを露光するレチクルであって、前記スクライブライン対応領域(13)上の所定の位置に第1のバーニアパターン(14)が形成され、かつステップ露光する際に重なる位置に、第2のバーニアパターン(15)が形成されてなることを特徴とするレチクル。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 21/30 515 F ,  H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/78 L