特許
J-GLOBAL ID：200903096926523131
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-286732
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084134
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】向上した発光出力を示す窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】InおよびGaを含有する窒化物半導体からなる活性層(6)の両側またはその一方に接してInおよびGaを含有する窒化物半導体からなるクラッド層(5、7)を形成する。さらに、屈折率の異なる2種類の窒化物半導体が2層以上積層された多層膜からなる反射層(44、55)を有する。
請求項（抜粋）：
インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第1の面と第2の面とを有する活性層と、該活性層の第1の面側に設けられ、屈折率の異なる2種類の窒化物半導体が2層以上積層された多層膜からなる第1の反射層とを有し、該活性層の第1の面と該第1の反射層との間に該活性層の第1の面に接して活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつインジウムとガリウムとを含むn型窒化物半導体よりなる第1のn型クラッド層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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