特許

J-GLOBAL ID：200903096929415402

原子層蒸着法を利用した物質形成方法及びこれを利用した半導体装置のキャパシタ形成方法

発明者： 金 榮善 ,  呂 宰顕 ,  金 晟泰 ,  朴 仁成 ,  任 基彬
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-274998
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056142
出願日： 2003年07月15日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】 原子層蒸着法を利用して誘電物質を形成する方法及び半導体装置上に物質から誘電膜を形成する方法を開示する。【解決手段】 原子層蒸着法(ALD)は最少限一つのアルコキシド基を含み、基板表面上に化学的に吸着されて水酸化基を含まない活性化された酸化剤と反応して優れているステップカバーレージおよび向上された漏洩電流特性を示す誘電物質を形成する第1反応物を利用する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

基板表面上にアルコキシド蒸気を化学的に吸着してアルコキシド膜を形成する段階と、 前記アルコキシド膜を水酸化基を含まない活性化された酸化剤と反応させて前記基板表面上に物質膜を形成する段階とを含むことを特徴とする原子層蒸着法(ALD)を利用して基板表面上に物質膜を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 651

Fターム (24件)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF20 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD49 ,  5F083AD56 ,  5F083GA06 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR06 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,124,158号明細書