特許
J-GLOBAL ID：200903096932448400
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-154054
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332577
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置を回路基板に電気的および機械的な接続を行う突起電極の構造およびその製造方法に関して半導体基板の大口径化に対応するためには製造工程上必要な高額な装置を全て変更しなくてはならず莫大な設備投資が必要となっていた。高額な設備を必要としないで半導体基板の大口径化に対応した製造工程および高密度でしかも高信頼性である半導体装置を安価で提供する。【解決手段】 感光性樹脂20の露光現像を行って電極パッド14に開口部を形成し、無電解めっき法を用いて突起電極22および突起電極22表面を覆うように酸化防止膜24を形成する。
請求項（抜粋）：
電極パッドを形成した半導体基板の上面の全面に絶縁膜を形成し、その絶縁膜に電極パッドが露出する開口部をパターン形成する工程と、上記半導体基板上の全面に感光性樹脂を形成する工程と、その感光性樹脂を露光現像し、上記電極パッドを露出させる開口部を形成するようにその感光性樹脂をパターンニングする工程と、感光性樹脂の開口部内の電極パッド上にめっき前処理層を形成する工程と、電極パッド上に突起電極を無電解めっき処理によって形成する工程と、感光性樹脂を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 D
, H01L 21/92 604 B
