特許

J-GLOBAL ID：200903096934975076

マルチ電子源の特性調整方法及び特性調整装置

発明者： 青木 修司 ,  小口 高弘
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-255932
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068205
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 簡易な工程でマルチ電子源の電子放出特性及び調整時間を略同一にする。【解決手段】 複数の表面伝導型電子放出素子を基板上に配置したマルチ電子源の特性調整方法であって前記各電子放出素子の電子放出特性を計測し、特性調整目標値を設定する工程と、前記複数の電子放出素子の一部に、離散的な複数の特性シフト電圧値をもつ特性シフト電圧を印加して各々の前記電子放出素子についての電子放出特性を計測し、計測された電子放出特性の変化率の平均値を基に前記特性シフト電圧値毎に特性調整テーブルを作成する工程と、前記電子放出素子毎に特性調整テーブルを参照し、前記離散的な複数の特性シフト電圧値から所定の特性シフト電圧値を選択して前記電子放出素子に印加することにより前記特性調整目標値まで特性をシフトさせるシフト工程と、前記電子放出特性の変化をモニタし、特性シフト条件を再設定する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

複数の表面伝導型電子放出素子を基板上に配置したマルチ電子源の特性調整方法であって、前記各電子放出素子の電子放出特性を計測し、特性調整目標値を設定する工程と、前記複数の電子放出素子の一部に、離散的な複数の特性シフト電圧値をもつ特性シフト電圧を印加して各々の前記電子放出素子についての電子放出特性を計測し、計測された電子放出特性の変化率の平均値を基に前記特性シフト電圧値毎に特性調整テーブルを作成する工程と、前記電子放出素子毎に前記特性調整テーブルを参照し、前記複数の特性シフト電圧値から所定の特性シフト電圧値を選択して前記電子放出素子に印加することにより前記特性調整目標値まで特性をシフトさせるシフト工程と、前記電子放出特性の変化をモニタし、特性シフト条件を再設定する工程とを有することを特徴とするマルチ電子源の特性調整方法。

IPC (5件)：

H01J 9/44 ,  G09G 3/20 611 ,  G09G 3/20 642 ,  G09G 3/22 ,  H01J 31/12

FI (5件)：

H01J 9/44 A ,  G09G 3/20 611 H ,  G09G 3/20 642 B ,  G09G 3/22 H ,  H01J 31/12 C

Fターム (16件)：

5C012AA05 ,  5C012VV10 ,  5C036EE02 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG47 ,  5C036EG48 ,  5C036EH26 ,  5C080AA01 ,  5C080BB05 ,  5C080DD03 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ07