ガス伝熱形プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-173670
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026432
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】ダストの発生を可及的に少なくして、プラズマ処理不良の発生を極めて少なくできるガス伝熱形プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】真空用チャンバー9と、真空用チャンバー9の真空排気手段8と、少なくとも一方が凸状に湾曲した表面を有するプラズマ発生用の一対の電極2,10と、被処理基板1の外周端部を押圧して被処理基板1を変形させながら一方の電極2の表面に押し付けて密着させる基板クランプ機構19と、被処理基板1と一方の電極2との間にガスG2を充満させるガス供給手段12とを有する。基板クランプ機構19は、被処理基板1に対する接触部が、一方の電極2の外周端部の接線角度αよりも大きなテーパー角度θのテーパー面19aに形成する。

請求項（抜粋）：

真空用チャンバーと、この真空用チャンバーの内部の空気を排気する真空排気手段と、少なくとも一方が凸状に湾曲した表面を有するプラズマ発生用の一対の電極と、被処理基板の外周端部を押圧して該被処理基板を変形させながら前記一方の電極の表面に押し付けて密着させる基板クランプ機構と、前記被処理基板と前記一方の電極との間にガスを充満させるガス供給手段とを有し、前記基板クランプ機構は、前記被処理基板に対する接触部が、前記一方の電極の外周端部の接線角度よりも大きなテーパー角度のテーパー面に形成されていることを特徴とするガス伝熱形プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/68 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

ガス伝熱プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-124815 出願人：松下電器産業株式会社
熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-294872 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-325230 出願人：三洋電機株式会社

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