特許

J-GLOBAL ID：200903096936571452

コンタクトプラグ構造及びその製造方法

発明者： 藤森 茂彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255623
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085520
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】Wプラグ技術を改良し、ボイドの発生を抑える構造を有するコンタクトプラグ構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】アルミニウム配線11上に層間絶縁膜12が形成されている。層間絶縁膜12にビアホール13が形成され、埋め込み配線となるプラグ14が形成されている。プラグ14の周辺は、プラグ底部に向かうほど厚くなるようなサイドウォール15が形成される。バリアメタル16は、少なくともプラグ底部に被覆されている。プラグ金属17はWを主成分としており、プラグ14内部に充填されている。サイドウォール15により、ビアホール13上縁部が底部に比べて広くなる。これにより、プラグ金属17、すなわちWの形成に関し、ビアホール13上縁部で先に塞がることを防ぎ、より確実な充填状態を実現する。

請求項（抜粋）：

プラグ周辺がプラグ底部に向かうほど厚くなるようなサイドウォールと、少なくとも前記プラグ底部に被覆されるバリアメタルと、プラグ内部に充填されているタングステンを含む埋め込み金属と、を具備したことを特徴とするコンタクトプラグ構造。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 U

Fターム (31件)：

4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104EE01 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT07 ,  5F033XX02