特許
J-GLOBAL ID:200903096938426514
2-ピリジルシラン誘導体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
久保山 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-063216
公開番号(公開出願番号):特開2000-256371
出願日: 1999年03月10日
公開日(公表日): 2000年09月19日
要約:
【要約】【課題】精製が容易な2-ピリジルシラン誘導体の製造方法を提供すること。【解決手段】遷移金属錯体触媒の存在下、一般式(2)(式中、R1およびR2はそれぞれ同一または相異なって、アルキル基等を表わし、R3、R4、R5およびR6はそれぞれ同一または相異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等を表わす。)で示される2-ピリジルシラン化合物と1-アルケン類もしくは1-アルキン類を反応させることを特徴とする一般式(1)(式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は上記と同一の意味を表わし、R7は、2位に置換基を有していてもよいエチル基もしくはビニル基を表わす。)で示される2-ピリジルシラン誘導体の製造方法。
請求項(抜粋):
遷移金属錯体触媒の存在下、一般式(2)(式中、R1およびR2はそれぞれ同一または相異なって、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基もしくは3置換シリル基を表わし、R3、R4、R5およびR6はそれぞれ同一または相異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基もしくは3置換シリル基を表わす。ここで、前記したアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基は、置換基を有していてもよい。)で示される2-ピリジルシラン化合物と1-アルケン類もしくは1-アルキン類を反応させることを特徴とする一般式(1)(式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は上記と同一の意味を表わし、R7は、2位に置換基を有していてもよいエチル基もしくはビニル基を表わす。)で示される2-ピリジルシラン誘導体の製造方法。
IPC (3件):
C07F 7/10
, B01J 31/24
, C07B 61/00 300
FI (3件):
C07F 7/10 S
, B01J 31/24 X
, C07B 61/00 300
Fターム (21件):
4H039CA19
, 4H039CA29
, 4H039CA42
, 4H039CA92
, 4H039CF10
, 4H039CF20
, 4H049VN01
, 4H049VP01
, 4H049VQ59
, 4H049VR24
, 4H049VS59
, 4H049VT17
, 4H049VT30
, 4H049VT45
, 4H049VU01
, 4H049VU04
, 4H049VU06
, 4H049VU36
, 4H049VV13
, 4H049VW02
, 4H049VW32
引用特許:
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