特許

J-GLOBAL ID：200903096941745183

セラミックス回路基板とそれを用いた半導体装置

発明者： 高橋 孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072252
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260546
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板等の非酸化物系セラミックス基板を用いた回路基板において、接合後の冷却過程や冷熱サイクルが印加された際にGaAs半導体素子に作用する引張り応力を緩和することによって、GaAs半導体素子の接合搭載性および信頼性を高める。【解決手段】 窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板等の非酸化物系セラミックス基板1上に、銅系回路板2をDBC法や活性金属法で接合したセラミックス回路基板3である。銅系回路板はその外周縁部近傍領域Aを除く内側領域Bに、非酸化物系セラミックス基板1に対して溝4等により形成された非接合部分を有している。

請求項（抜粋）：

非酸化物系セラミックス基板と、前記非酸化物系セラミックス基板上に接合された銅系回路板とを具備するセラミックス回路基板において、前記銅系回路板は、その外周縁部近傍を除く内側領域に、前記非酸化物系セラミックス基板に対して非接合部分を有していることを特徴とするセラミックス回路基板。