画像形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-325339
公開番号（公開出願番号）：特開2002-131958
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】【課題】高温、高湿の環境においても画像流れが発生せず、帯電ムラが少なく、感光体削れの発生しない、きわめて良好な画像が安定して得られる画像形成装置を提供する。【解決手段】導電性基体101と、導電性基体上に少なくとも光導電層102を有する感光体と、感光体を帯電させる帯電手段と、像露光を行うことにより感光体上に静電潜像を形成させる潜像形成手段と、感光体上に形成された静電潜像にトナーを転移させてトナー像を形成させる現像手段と、トナー像を転写材に転写させる転写手段とを有する画像形成装置において、感光体の光導電層は少なくとも水素を含有した非単結晶シリコンを主体とし、ESRによって測定される感光体の最表面近傍におけるスピン濃度が1×1018cm-3以上、1×1022cm-3以下であり、帯電手段は、感光体面に電圧を印加した導電性部材を当接させて感光体面を帯電する接触帯電装置。

請求項（抜粋）：

導電性基体と、該導電性基体上に少なくとも光導電層を有する感光体と、該感光体を帯電させる帯電手段と、像露光を行うことにより該感光体上に静電潜像を形成させる潜像形成手段と、該感光体上に形成された静電潜像にトナーを転移させてトナー像を形成させる現像手段と、該トナー像を転写材に転写させる転写手段とを有する画像形成装置において、該感光体の該光導電層は少なくとも水素を含有した非単結晶シリコンを主体とし、ESRによって測定される該感光体の最表面近傍におけるスピン濃度が1×1018cm-3以上、1×1022cm-3以下であり、該帯電手段は、該感光体面に電圧を印加した導電性部材を当接させて該感光体面を帯電する接触帯電装置であることを特徴とする画像形成装置。

IPC (5件)：

G03G 5/08 311 , G03G 5/08 303 , G03G 5/08 304 , G03G 5/08 305 , G03G 15/02 101

FI (5件)：

G03G 5/08 311 , G03G 5/08 303 , G03G 5/08 304 , G03G 5/08 305 , G03G 15/02 101

Fターム (9件)：

2H003AA11 , 2H003BB11 , 2H003CC05 , 2H068DA05 , 2H068DA06 , 2H068DA07 , 2H068DA14 , 2H068DA36 , 2H068FC01

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