特許
J-GLOBAL ID：200903096955437953
半導体光集積素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-303432
公開番号（公開出願番号）：特開平6-152059
出願日： 1992年11月13日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】従来、高度の形成技術が必要であり、またその作製方法も複雑なものであった周期変調や曲線、不等周期など特殊形状の回折格子および光半導体素子を組み込むことを容易とし、半導体光集積素子を実現する。【構成】本発明は、回折格子を形成した半導体基板上に半導体光導波路層を積層した導波部と、発光部或いは受光部のうち少なくとも一方を集積してなる半導体光集積素子において、上記光導波路層の層厚あるいは屈折率の少なくとも一方を半導体基板面内において変化させることによって、実効的な屈折率を変化させ不等周期や特殊形状の回折格子および光半導体素子を組み込むことを容易とし、半導体光集積素子を実現する。
請求項（抜粋）：
回折格子を形成した半導体基板上に半導体光導波路層を積層した導波部と、発光部或いは受光部のうち少なくとも一方を集積してなる半導体光集積素子において、上記光導波路層の層厚あるいは屈折率の少なくとも一方が半導体基板面内において変化していることを特徴とする半導体光集積素子。
引用特許：
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