特許

J-GLOBAL ID：200903096965075057

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 梶川 靖友 ,  永井 豊 ,  川崎 和重
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-179332
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026866
出願日： 1997年07月04日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 活性層の共振器端面の窓構造領域となる相互拡散領域への電流注入が非常に少ない半導体レーザ及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 レーザ共振器端面近傍の,量子井戸構造を有する活性層3と第1上クラッド層4及び下クラッド層2の活性層3の近傍部分とを含む領域に、下クラッド層2側がZnイオン注入領域8aからなり、第1上クラッド層4側の領域がSiイオン注入領域8bからなる電流非注入領域8を設けるとともに、この電流非注入領域8内の活性層3をアニールによって相互拡散させて、バンドギャップエネルギーが活性層3の他の領域よりも大きい窓構造領域とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に配置された、第1導電型下クラッド層,超格子構造を有する活性層,及び第2導電型上クラッド層と、上記活性層に対して垂直である共振器端面と、該共振器端面の,上記活性層と上記上クラッド層及び下クラッド層の活性層近傍部分とを含む領域に設けられた、上記下クラッド層側の領域が第2導電型を有する領域からなり,上クラッド層側の領域が第1導電型を有する領域からなる電流非注入領域と、上記活性層の上記電流非注入領域内に設けられた、その超格子構造が均質化されている窓構造領域を備えたことを特徴とする半導体レーザ。