特許

J-GLOBAL ID：200903096969676853

半導体装置及びその製造方法

発明者： 古屋 博之 ,  横川 俊哉 ,  出口 正洋 ,  吉井 重雄 ,  鈴木 朝実良
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-032072
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234532
出願日： 2002年02月08日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】 Si、GaAs、InP等の半導体結晶を用いた光集積回路において、製造が容易であり、誘電体導波路変調器を使用し高速変調が可能で、なおかつ導波路と受光素子・発光素子を高い光結合効率で配置することで高性能な光集積型半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1の酸化物誘電体基板と、酸化物誘電体基板に第1の半導体結晶を成長させ、第1の酸化物誘電体基板上に形成した光変調器と、第1の酸化物誘電体基板上に形成した半導体結晶部分に第1の活性層を有する半導体レーザ装置と、第2の活性層を有する半導体光検出器と光変調器駆動回路および半導体光検出器・半導体レーザ駆動回路を具備させる。

請求項（抜粋）：

第1の酸化物誘電体基板と、前記酸化物誘電体基板に第1の半導体結晶を成長させ、前記第1の酸化物誘電体基板上に形成した光変調器と、前記第1の酸化物誘電体基板上に形成した半導体結晶部分に第1の活性層を有する半導体レーザ装置と、第2の活性層を有する半導体光検出器と光変調器駆動回路および半導体光検出器・半導体レーザ駆動回路を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01S 5/026 616 ,  H01S 5/026 612 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  G02F 1/035

FI (6件)：

H01S 5/026 616 ,  H01S 5/026 612 ,  G02F 1/035 ,  G02B 6/12 B ,  G02B 6/12 J ,  G02B 6/12 M

Fターム (29件)：

2H047KA04 ,  2H047KB09 ,  2H047MA07 ,  2H047NA02 ,  2H047PA04 ,  2H047PA06 ,  2H047PA12 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047QA03 ,  2H047RA08 ,  2H047TA41 ,  2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079DA03 ,  2H079EA05 ,  2H079EA22 ,  2H079EB04 ,  2H079JA05 ,  2H079JA06 ,  2H079KA18 ,  5F073AA74 ,  5F073AB12 ,  5F073AB14 ,  5F073AB21 ,  5F073CA12 ,  5F073DA06