特許
J-GLOBAL ID：200903096970948018
太陽電池およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
三品 岩男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055894
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263735
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】CIS層の蒸着過程で生じるCISとn型窓層の構成成分との相互拡散を抑制することにより、高い変換効率を実現可能なスーパーストレート型の太陽電池およびその製造方法を提供する。【構成】ソーダライムガラス10基板上に透明導電膜としてのZnO:Al20を形成し、n型窓層としてCdS膜30を溶液成長により形成して、その後、基板温度450°Cで、p型光吸収層としてCIS膜40を真空蒸着して、最後に裏面電極としてのAu膜50を形成するものであり、この構成により、CIS層の成膜過程で生じるCISとn型窓層の構成成分との相互拡散を抑制する。
請求項（抜粋）：
透明導電膜と、n型窓層と、セレン化銅インジウム系p型光吸収層と、裏面電極とを、基板上に順次積層したスーパーストレート型の太陽電池の製造方法において、基板上に形成された透明導電膜上に、溶液成長法を用いて、n型窓層として半導体膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, H01L 31/04 H
