特許
J-GLOBAL ID：200903096972086552
圧電薄膜振動子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-248764
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069749
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 素子に形成する上部、下部電極の接続用パッドの形成領域が破壊することなく、かつ、共振特性に優れた圧電薄膜振動子を提供する。【解決手段】 基板1上に薄肉の酸化膜2を形成し、酸化膜2の中央部を基板1から浮かしてダイアフラム形成領域と成す。酸化膜2のダイアフラム形成領域の上側に下部電極3を形成し、その上部側に酸化膜2の上部側ほぼ全体領域を覆う圧電薄膜5を形成し、その上部側に下部電極3と対向する上部電極6を形成する。その上部側に圧電薄膜5の上部側ほぼ全体領域を覆う酸化膜12を形成し、酸化膜12の上部側に、前記ダイアフラム形成領域を避けて上部電極6および下部電極3の各接続用パッド7,4を設け、引き出し電極16,13により、それぞれ上部電極6と下部電極3に接続する。前記各接続パッド7,4の形成領域は基板1上の酸化膜2と圧電薄膜5と酸化膜12との密着積層体上とする。
請求項（抜粋）：
基板上に薄肉の第1の絶縁膜が形成されており、この第1の絶縁膜の両端間の局部部位は前記基板から浮かしたダイアフラム形成領域と成し、この第1の絶縁膜の前記ダイアフラム形成領域の上部側には下部電極が形成され、該下部電極の上部側には前記第1の絶縁膜の上部側のほぼ全体領域を覆う圧電薄膜が形成されており、前記ダイアフラム形成領域の圧電薄膜の上部側には前記下部電極と対向する上部電極が形成され、該上部電極の上部側には前記圧電薄膜の上部側のほぼ全体領域を覆う第2の絶縁膜が形成されており、該第2の絶縁膜の上部側には前記ダイアフラム形成領域を避けた位置に形成される前記基板上の前記第1の絶縁膜と前記圧電薄膜と前記第2の絶縁膜との密着積層体上に、前記下部電極に引き出し電極を介して導通接続される下部電極の接続用パッドと前記上部電極に引き出し電極を介して導通接続される上部電極の接続用パッドとがそれぞれ分離して形成されていることを特徴とする圧電薄膜振動子。
IPC (3件)：
H03H 9/17
, G01C 19/56
, G01P 9/04
H03H 9/17 F
, G01C 19/56
, G01P 9/04
