半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-049032
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249653
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】オン電圧とターンオフ損失のトレードオフを良好に確保しながら、素子間でのオン電圧のばらつきを小さくすること。【解決手段】IGBTのpコレクタ層8の活性化した不純物ピーク濃度を2×1017cm-3以上で、2×1018cm-3以下とすることで、オン電圧とターンオフ損失のトレードオフを良好に確保しながら、素子間でオン電圧のばらつきを小さくする。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板の第1主面側の表面層に形成される該半導体基板より不純物濃度が高い第1導電型の第1領域と、該第1領域上に形成される第1電極と、前記半導体基板の第2主面側の表面層に形成される第2導電型の第2領域と、該第2領域上に形成される第2電極とを具備する半導体装置において、前記第2領域の活性化した不純物ピーク濃度が、2×1017cm-3以上2×1018cm-3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 655 , H01L 29/78 653

FI (2件)：

H01L 29/78 655 C , H01L 29/78 653 A

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