陰極装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青木朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246688
公開番号（公開出願番号）：特開平6-096664
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】陰極装置の作製方法に関し、基板の大型化に有利で且つインライン方式に対応可能な方法を提供する。【構成】ゲート開口部7に蒸着でエミッタティップを形成する際に、犠牲層膜4をエッチング(図1)、選択CVD又はリフローを利用して形成する。

請求項（抜粋）：

カソード電極層上の絶縁膜とゲート膜とに形成した孔内に形成された円錐状エミッタティップの電界放出陰極を有する陰極装置を作製する方法であって、ゲート膜上のエミッタティップ形成用の孔に張り出した犠牲層を形成した処理基板全面へエミッタティップ材料を付着させることにより該孔内にエミッタティップを形成し、該犠牲層の除去により付着した余分なエミッタティップ材料をリフトオフさせてエミッタティップを露出させる方法において、カソード電極層(1)上に絶縁膜(2)、ゲート膜(3)及び犠牲層膜(4)を順に成膜し、そして犠牲層膜(4)に孔を形成し、次いでこの犠牲層膜(4)をマスクとして、該犠牲層膜(4)の孔に対してアンダーカットするようにゲート膜(3)及び絶縁膜(2)を異方性エッチングしてエミッタティップ用の孔(7)を形成することを特徴とする陰極装置の作製方法。

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