特許
J-GLOBAL ID：200903096972949240
ドライエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-135880
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304115
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】 エッチングレートの面内均一性を向上できるドライエッチング装置を提供すること。【構成】 真空処理室10内部に臨んで、ウエハ1の載置電極である下部電極12と、その対向電極である上部電極14とを儲け、両者で平行平板電極を構成している。真空処理室10の外部にはマグネット38が回転可能に設けられ、平行平板電極間に形成される電界と直交する磁場を形成可能である。上部電極14は接地され、下部電極12には高周波電源30と自動インピーダンス整合装置36とが接続される。高周波電源30はパルス発振器32とアンプ34からなり、電極12に印加される高周波電圧の周波数を、13.56MHz,27.12MHz,40.68MHzおよび54.24MHzに切替え可能である。周波数の切替えに応じて、自動インピーダンス制御装置36内のキャパシタンスCまたはインダクタンスLが変更される。
請求項（抜粋）：
真空容器と、この真空容器内に配置される被処理物を載置する第1の電極、及びこれと対向する第2の電極から成る一対の平行電極と、前記真空容器内にエッチングガスを導入する手段と、前記被処理体に平行な磁場を形成する磁場形成手段と、前記電極の一方に、13.56MHzより高い周波数の高周波電圧を印加する手段と、を有することを特徴とするドライエッチング装置。
引用特許：
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