特許

J-GLOBAL ID：200903096975740270

半導体装置及びその製造方法

発明者： 村越 篤 ,  小池 三夫 ,  須黒 恭一 ,  浅石 忠行 ,  岩瀬 政雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-056281
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139511
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】不純物拡散層の活性化濃度が高く、また金属との低抵抗コンタクトを実現した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】Si基板1の表面内に不純物拡散表面層4aが形成され、その上にAl電極6がコンタクトする。表面層4aは、格子定数を変化させるための不純物としてGeを1×1021cm-3以上の濃度で且つ非熱平衡状態で含有する。表面層4aの格子定数は、Geを同じ濃度で且つ熱平衡状態で含有するSiの格子定数よりも大きくなるように設定される。これにより、表面層4aと電極6と間に形成されるコンタクトのショットキー障壁の高さが低下する。表面層4aはまた、キャリアを付与するための不純物として電気的に活性なBを、Si内における熱平衡状態での固溶限界以上の濃度で含有する。Geを含有することにより、表面層4a内のキャリアの移動度はSi内のそれよりも大きくなる。

請求項（抜粋）：

シリコンからなる下地層の表面内に形成され且つキャリアを含有する表面層と、前記表面層との間にコンタクトが形成されるように前記表面層上に配設された金属導電性を有する電極と、を具備し、前記コンタクトにおけるショットキー障壁の高さを低下させるように、前記表面層が、格子定数を変化させるための第1不純物を第1濃度で且つ非熱平衡状態で含有し、前記表面層の格子定数が、前記第1不純物を前記第1濃度で且つ熱平衡状態で含有するシリコンの格子定数よりも大きくなるように設定されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 29/48 Z ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/90 C