窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-025920
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217456
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 p型電極の周囲または基板裏面及び側面に形成されたn型電極を有する窒化ガリムウ系化合物半導体発光素子において、外部発光効率を向上させた発光素子を得ることを目的とする。【解決手段】 p型電極と同一面上の周囲または基板裏面及び側面に形成されたn型電極が、透光性でありさらにオーミック接触である金属薄膜層または酸化物半導体層、それらの積層体からなる構成を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

基板とn型電極と活性層を含む窒化ガリウム系化合物半導体積層構造とp型電極を有し、p型電極はp型透光性電極とp型用パッド電極を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、n型電極はn型透光性電極を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 5/323

Fターム (35件)：

5F041AA03 , 5F041AA05 , 5F041AA24 , 5F041AA43 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA82 , 5F041CA84 , 5F041CA85 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA98 , 5F041DA02 , 5F041DA07 , 5F041DA18 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB22 , 5F073CB23 , 5F073DA05 , 5F073DA24 , 5F073DA30 , 5F073EA07 , 5F073EA29 , 5F073FA22 , 5F073FA27

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