特許

J-GLOBAL ID：200903096978077857

半導体装置

発明者： 佐 藤 武 久
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197435
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058620
出願日： 1993年08月09日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】回路の内部構成や規模に応じ、あるいはユーザの注文に応じて各出力バッファ回路の負荷駆動電流を広範囲に亘って細かく、個々に最適な大きさに設定でき、また、その設定を配線後も容易に調整できるようにし、各出力バッファ回路毎の過剰な駆動電流を減少させ、回路全体としての消費電力を軽減することのできる半導体装置の提供。【構成】半導体装置の出力バッファ回路の最終出力段において、下地として基本トランジスタサイズに対して1倍、2倍、4倍、.........、2n (nは自然数)倍のトランジスタサイズを持つ(n+1)個のMOSトランジスタを作り込み、これらのMOSトランジスタを組み合わせ、並列に接続して前記最終出力段を構成し、複数の駆動電流を設定可能にしたことにより上記目的を達成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の出力バッファ回路の最終出力段において、下地として基本トランジスタサイズに対して1倍、2倍、4倍、.........、2n (nは自然数)倍のトランジスタサイズを持つ(n+1)個のMOSトランジスタを作り込み、これらのMOSトランジスタを組み合わせ、並列に接続して前記最終出力段を構成し、複数の駆動電流を設定可能にしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H03K 19/0175 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H03K 17/12 ,  H03K 17/687 ,  H03K 19/173

FI (4件)：

H03K 19/00 101 F ,  H01L 21/82 P ,  H01L 27/08 102 C ,  H03K 17/687 F