特許
J-GLOBAL ID：200903096978464583
多ビーム半導体レーザーの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小堀 益
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-092433
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334275
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 近接して隔置されるが、熱的、電気的及び光学的に相互に分離された複数個の半導体レーザー・チップから多ダイオード・レーザーを製造する方法を提供すること。【構成】 それぞれ一対の支持ヒートシンクに固定された第1及び第2半導体レーザー・ダイスがレーザーに含まれる多ビーム半導体レーザーを製造する方法。本方法では、サンドイッチ状素子を形成すべく中間スペーサーの反対側上にて相互に支持ヒートシンクを正確に位置付けるラミネート化方法を利用する。サンドイッチ状素子をベース・プレートに永久的に固定した後、中間スペーサーが溶かされるか若しくは除去されてレーザー・ダイスに対して設置面を露呈させる。本方法は、位置誤差を低減すべく相互に対するヒートシンクの正確な設置を可能にするだけでなく,後続の多段階レーザー・ビーム整合作動の必要性を無くす。
請求項（抜粋）：
多ビーム半導体レーザーの製造方法であって:第1ヒートシンクと第2ヒートシンクの間に配設された中間材料層を含むラミネートを形成する段階と;ラミネートをベースに固着する段階と;第1ヒートシンクと第2ヒートシンクの対向する面を相互に隔置させるべく中間材料層をラミネートから除去する段階と;第1半導体レーザー・ダイスを第1ヒートシンクの面上に、第2半導体ダイスを第2ヒートシンクの面上に固着する段階とから成る多ビーム半導体レーザーの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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