特許

J-GLOBAL ID：200903096978684427

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 青木 英雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043742
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241893
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】 信頼度の高い配線膜を備えている半導体集積回路装置と、それを容易に製造できる製造技術を提供する。【構成】 複数の半導体素子が形成されている基体9の上に絶縁膜10を形成した後、絶縁膜10の表面の選択的な領域に溝12を形成する工程と、溝12を有する絶縁膜10の上に形成された配線膜13における溝12に埋め込まれている領域の表面の一部にフォトレジスト膜14を形成した後、フォトレジスト膜14をエッチング用マスクとして配線膜13の表面が露出している領域を絶縁膜10の表面が露出するまでエッチングすることにより、フォトレジスト膜14の下面に柱状のピラー13bを形成すると共に溝12に埋め込まれた形状の配線膜13aを形成する工程とを有するものとする。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が設けられている基体の上の配線膜と、前記配線膜の表面の選択的な領域に設けられているピラーとを有し、前記配線膜および前記ピラーは同一工程により形成されているものであることを特徴とする半導体集積回路装置。