特許

J-GLOBAL ID：200903096985228682

誘電体薄膜の製造方法および製造装置

発明者： 林 重徳 ,  小牧 一樹 ,  鎌田 健 ,  北川 雅俊 ,  出口 隆 ,  高山 良一 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-321573
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168878
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】ABO3 で構成されるペロブスカイト型複合化合物薄膜に対し、基板温度をペロブスカイト型の結晶性薄膜が得られる温度に保ったまま、基板上に薄膜を堆積させる堆積工程と堆積させない非堆積工程とを交互に繰り返すことにより、安定性・均一性・再現性良く形成する。【構成】ターゲット2、3、4に焼結した酸化物強誘電体[Pb0.9 La0.1TiO3 +0.2PbO]を、基板5として酸化マグネシウムMgOの(100) 面を用い、2 〜3 μm の膜厚の薄膜を形成する。基板の温度範囲として550 〜650°Cが適当である。また、ArとO2 の混合比はAr/O2 =20〜5 、圧力は0.1〜0.5Pa が好ましい。基板ホルダー6を回転させながら、ターゲット2および3をスパッタリングし、堆積-非堆積(安定化)-堆積-非堆積(安定化)・・・・と周期的に繰り返す。

請求項（抜粋）：

ABO3 で構成されるペロブスカイト型複合化合物薄膜に対し、基板温度をペロブスカイト型の結晶性薄膜が得られる温度に保ったまま、基板上に薄膜を堆積させる堆積工程と堆積させない非堆積工程とを交互に繰り返すことからなる誘電体薄膜の製造方法。ここで、Aサイトは、Pb、Ba、SrまたはLaの少なくとも1種、Bサイトは、TiおよびZrのうち少なくとも1種の元素を含む。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-069512