特許
J-GLOBAL ID：200903096991491131
偏光ホログラム素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018109
公開番号（公開出願番号）：特開2000-199820
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 横広がりを低減するプロトン交換層を有する偏光ホログラム素子の製造方法を提供する。【解決手段】 偏光ホログラム素子の作製方法において、基板2上に金属層マスク5を形成した後、プロトン交換処理液中に浸し、かつ基板2の厚さ方向に外部電界を印加して、プロトン交換層3を形成し、更に、プロトン交換層3及び金属層マスク5をエッチングし、基板2をエッチングしない選択エッチング液を用いて、所定時間のエッチングを行い、金属層マスク5をエッチング除去すると共にプロトン交換層3上に溝を形成する工程とからなる。
請求項（抜粋）：
基板上に金属層を形成し、この金属層上にフォトレジストパターンを形成した後、前記フォトレジストパターンに覆われた以外の前記金属層を基板に達するまでエッチングして金属層マスクを形成する工程と、前記フォトレジストパターンを除去後、前記基板をプロトン交換処理液中に浸し、かつ前記基板の厚さ方向に外部電界を印加して、前記基板中のイオンと前記プロトン交換処理液中の水素イオンとのイオン交換を行って、所定深さのプロトン交換層を形成する工程と、前記プロトン交換層及び前記金属層マスクをエッチングし、前記基板をエッチングしない選択エッチング液を用いて、所定時間のエッチングを行い、前記金属層マスクをエッチング除去すると共に前記プロトン交換層上に溝を形成する工程とからなることを特徴とする偏光ホログラム素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
2H049AA36
, 2H049AA37
, 2H049AA57
, 2H049AA59
, 2H049BA05
, 2H049BA42
, 2H049BA45
, 2H049BA47
, 2H049BC01
, 2H049BC25
, 2H049CA23
, 2H049CA28
