半導体発光装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077184
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326945
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】再成長界面で電流注入時に通過抵抗を増大させるような高抵抗層の発生を防ぎ、かつ素子の信頼性を大幅に向上する。【解決手段】基板上に第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層及び電流が注入されるストライプ領域に形成されたリッジ型の第2導電型第2クラッド層並びに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であって、該第2導電型第1クラッド層上の少なくとも該ストライプ領域に酸化防止層を有することを特徴とする半導体発光装置及び基板上に第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層、酸化防止層を積層した後、電流が注入されるストライプ領域に、保護膜を用いて第2導電型第2クラッド層を選択成長することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層及び電流が注入されるストライプ領域に形成されたリッジ型の第2導電型第2クラッド層並びに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であって、該第2導電型第1クラッド層上の少なくとも該ストライプ領域に酸化防止層を有することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体レーザ装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-073440 出願人：株式会社リコー
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235102 出願人：シャープ株式会社
特開平4-337689

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