特許

J-GLOBAL ID：200903096998735141

電極配線の製造方法及び処理装置

発明者： 日野出 憲治 ,  武田 健一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232719
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079428
出願日： 1996年09月03日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 高アスペクト比の接続孔部に簡単な処理で金属層を埋め込む信頼性の高い接続孔配線の形成方法を提供する。【解決手段】 下地絶縁膜32に、多結晶シリコン電極22と接続するための接続孔41を設けた後、Cu膜24/TiN膜23の積層膜を形成する。この状態で基板11を不図示の油圧処理室内に搬送し、加熱した液体媒体51により基板に対して所定時間、等方性の圧縮応力を加える。【効果】 高アスペクト比の接続孔内に空洞を残さずに配線系の金属層を埋め込むことができる。

請求項（抜粋）：

凹部を形成した基板上に金属膜の領域を形成する金属膜形成工程と、液体を媒体として基板に等方性の圧縮応力を加えて金属膜の領域を変形させ凹部に金属を埋め込む埋込工程と、基板の表面および裏面から媒体とした液体を除去する洗浄工程とを少なくとも有することを特徴とする電極配線の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  B23K 20/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 341

FI (4件)：

H01L 21/90 A ,  B23K 20/00 B ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/304 341 M